Une étanchéité maximale
Technologie de connexion sûre pour applications dans le domaine du vide

Applications haute pression et vide élevé

ODU dispose des compétences nécessaires pour développer et concevoir des connexions qui répondent à des exigences spéciales en termes d’herméticité et de résistance à la haute pression. Des connaissances exactes des matériaux, la sélection des procédés d’étanchéité disponibles en fonction de l’application, la maîtrise de différentes technologies de scellage, des analyses MEF exhaustives ainsi que l’expérience nécessaire forment une base solide pour le développement du connecteur adapté.

Les exigences en matière d’étanchéité des interfaces de transmission électrique ne cessent d’augmenter. Si elles devaient dans un premier temps, dans le cadre d’applications industrielles, être étanches à la poussière et à l’eau (protection IP), les besoins ont évolué, en exigeant l’étanchéité sous l’eau et à haute pression, jusqu’à une herméticité quasi absolue. Une étanchéité hermétique est requise notamment dans un espace fermé où un vide doit être créé. On distingue différents niveaux de qualité d’étanchéité hermétique : le vide fin, le vide élevé et le vide poussé.

Vide fin :  1 – 10−3 mbar l/s
Vide élevé :   10−3 – 10−7 mbar l/s
Vide poussé :  10−7 – 10−12 mbar l/s

Vide poussé – L’étanchéité hermétique désigne un système hermétiquement clos à long terme. Cela signifie que l’équipement, les locaux, les installations de production, etc. sont entièrement protégés contre la pénétration ou la fuite d’impuretés, même les plus petites, à une échelle moléculaire.
ODU définit de nouveaux standards dans ce domaine avec une nouvelle série de composants.
Grâce à l’utilisation de la technologie du scellage du verre, ces composants hermétiques remplissent non seulement les exigences élevées des interfaces sous vide poussé, mais supportent également les variations de température extrêmes. Ces nouveaux composants répondent également à une autre des exigences principales de nos clients : une transmission de données high-speed.
 
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